MEMORIA RAM.

MEMORIA RAM.

DEFINICION: la memoria RAM se compone de uno o más chips y se utiliza como memoria de trabajo para guardar o borrar nuestros programas y datos. Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando cuando se queda sin energía por ejemplo (al apagar el ordenador).

TIEMPO DE REFRESCO O DE LATENCIA: En redes informáticas de datos se denomina latencia a la suma de retardos temporales dentro de una red. Un retardo es producido por la demora en la programación y transmisión de paquetes dentro de la red.

TIEMPO DE ACCESO: Es el retardo temporal o latencia entre una petición a un sistema electrónico y la finalización de la misma o la devolución de los datos solicitados.

BUFFER DE DATOS Y PARIDAD: El buffer es la parte de la  memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algún software para realizar un  trabajo o proceso mas rápido. El buffer en una computadora, es el proceso que realiza el hardware o el software para realizar algún trabajo mas rápidamente.

Estructura Física

La memoria está compuesta por un determinado número de celdas, capaces de almacenar un dato o una instrucción y colocadas en forma de tablero de ajedrez. En lugar de tener 64 posibles posiciones donde colocar piezas, tienen n posiciones. No solo existe un "tablero" sino que existen varios, de esta forma la estructura queda en forma de tablero de ajedrez tridimensional .

  Memoria RAM Volátil

La memoria volátil de una computadora, contrario a memoria no volátil, es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo de corriente eléctrica.

·         Memoria Ram Aleatoria

Se dice que es aleatoria por que se puede acceder a cual quier byte de memoria.

·         Modo de almacenamiento en una memoria Ram

El modo de almacenamiento en una memoria Ram es de modo magnético, como los discos duros.

·         Tipos de Memoria Ram

Los tipos de memoria RAM son dos existen las sincrona y Asicronas

MEMORIA SINCRONAS

Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos  de 168 contactos. Fue utilizada en los  y en los , así como en los  y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas. Los tipos disponibles son:

• PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
• PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133 MHz.

MEMORIA ASINCRONAS

Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb.⁷ Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrónica de automoción.
 Modulos de memoria Ram

SIPP :consiste en un circuito impreso, en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa, Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM.

SIMM :es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.

DIMM :Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.

RIMM :designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo.

·         Modulos de Ram para portatiles

SO-DIMM :También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.

MICRODIMM :Es la mas pequeña tan solo tiene 214 pines

SO-RIMM :También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 clavijas en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 clavijas en el caso de las memorias de 32 bits.

·         Tecnologias

Memorias asincronas

DRAM :Dado que un octeto contiene 8 bits, un módulo de memoria DRAM de 256 Mo contendrá por lo tanto 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268.435.456 octetos = 268.435.456 * 8 = 2.147.483.648 bits. Los tiempos de acceso de estas memorias son de 60 ns. el tiempo necesario para acceder a la primera parte de la información es igual al tiempo del ciclo más el tiempo de latencia, mientras que el tiempo necesario para acceder a las otras tres partes de la información sólo es igual al tiempo de ciclo; los cuatro tiempos de acceso se expresan, entonces, en la forma X-Y-Y-Y. Por ejemplo, 5-3-3-3 indica que la memoria necesita 5 ciclos del reloj para acceder a la primera parte de la información, y 3 para acceder a las subsiguientes.

FPM-RAM : Inspirado en técnicas como el "BurstMode" usado en procesadores como el Intel 486,3 se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas.  Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium

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EDO-RAM : Con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM : Tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.

Memorias sincronas

·         SDR SDRAM :Con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta.

PC66 : Funciona a una frecuencia de reloj de 66,66 MHz

PC100:  funciona a un máx de 100 MHz.

PC133: funciona a un máx de 133 MHz.

·         DDR SDRAM :Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles.

PC1600 funciona a un máx de 100 MHz.

PC2100: funciona a un máx de 133 MHz.

PC2700: funciona a un máx de 166 MHz.

PC3200: funciona a un máx de 200 MHz.

PC4200: funciona a un máx de 266 MHz.

PC4800: funciona a un máx de 300 MHz.

PC5300: funciona a un máx de 333 MHz.

PC6400: funciona a un máx de 400 MHz.

DDR3 :Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.

·         RDRAM : Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

XDR DRAM : Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

XDR2 DRAM :Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se ofrece por Rambus ha diseñado

XDR2 como una evolución de, y el sucesor, de XDR DRAM.

·         DRDRAM :

·         SLDRAM :Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono (SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador.

·         SRAM : tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica. No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).

ASYNC SRAM :

SYNC SRAM :

PIPELINED SRAM :

·         EDRAM :Un condensador con sede en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma morir como un ASIC o procesador. Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite mucho más amplio autobuses y mayores velocidades de operación, y debido a una mayor densidad de gran parte de DRAM en comparación con SRAM , mayores cantidades de memoria se puede instalar en pequeñas fichas si eDRAM se utiliza en lugar de eSRAM.

·         ESDRAM :Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, podiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.

·         VRAM :Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.